WPE效应解决办法

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第二种方法,将器件远离阱,可以减小WPE,即将well面积画大一些,将器件的上下左右四个方向到well的距离尽量大,一般都会有一个最小距离要求,大部分是2um以上,不满足2um也不会报DRC错误,所以在DRC和LVS...电子发烧友

2024年09月24日

最佳答案: 有一种实用方法是增大阱面积，远离阱边缘放置器件，确保至少2um的间距。这样不仅减小WPE，还能在保证精度的同时控制版图面积。如图所示，通过精心布局，我们可以将...百度知道

2024年09月24日

最佳答案: 该两种效应的解决方法如下：1、预先估计wpe效应和lod效应中MOS管的SA、SB和SC的值，再进行仿真调试，进而达到理想的设计值。2、预先放大或缩小wpe效应和lod效应中M...百度知道

2024年09月24日

2023年12月27日褐星ee 2023-12-2705:06 关注模拟版图学习笔记分享 1、闩锁效应剖面图和结构图 2、闩锁效应、三极管工作状态、天线效应 3、WPE效应及解决方法 4、LOD效应 1阅读 0 0 发表评论 ...褐星ee

2024年09月24日

2024年2月19日 2.WPE阱偏置效应阱边缘和远离边缘的晶体管阈值电压会不一样。对于阈值电压和体效应要求较高的设计,可以将器件到阱四个方向的距离都加大,一般2微米足够。相同...CSDN博客

2024年09月24日

2023年4月27日 3、效应改善在设计之前,可以通过预估Sc的值进行仿真调试,使设计达到最优;对于对称性较高的电流镜,差分对等,采用整数倍设计方法,有助于提升制造的对称性,降低W...基合半导体

2024年09月24日

7天前后仿真时可以先做norc抽取来查看WPE和前仿真的差别,即查看关键电路节点信号是否和前仿真一致,或者尽可能偏差较小。版图设计时减小WPE效应的措施: ①、加dummy器件 ②...CSDN博客

2024年09月24日

4、版图中减小WPE影响的几种方法 4.1 优化减少阱个数,如:同一电位的器件放在一个阱里面; 4.2 对于一些关键匹配的器件(如差分对、电流镜等),远离阱放置,特别注意在远离的同时,需要注意匹配器件SC值...腾讯云计算

2024年09月24日