WPE效应和LOD效应解决办法

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最佳答案: 有一种实用方法是增大阱面积，远离阱边缘放置器件，确保至少2um的间距。这样不仅减小WPE，还能在保证精度的同时控制版图面积。如图所示，通过精心布局，我们可以将...百度知道

2024年09月25日

2023年11月3日 LOD效应和WPE效应一样，直接影响MOS管的阈值电压等参数，因此如果电路对阈值电压比较敏感，那么在layout中一定要把LOD效应考虑在内，不然layout画完再做优化就很费事，导致芯片设计...半导体市场观察

2024年09月25日

2023年11月3日第二种方法,将器件远离阱,可以减小WPE,即将well面积画大一些,将器件的上下左右四个方向到well的距离尽量大,一般都会有一个最小距离要求,大部分是2um以上,不满足2um也不会报DRC错误,...电子发烧友

2024年09月25日

4.3 在有限的空间内,添加Dummy器件,这样可以使器件远离阱边缘,即增大SC距离值; Tips:不仅仅阱(NW/PW)影响WPE效应,而且OD2(高压部分,tsmc中名称叫:OD2)也会影响WPE效应。解释如下: PSE效应 1、PSE(...腾讯云计算

2024年09月25日

2019年6月17日电路设计中减小STI、WPE的影响在电路设计阶段,在版图设计没有进行或还没有完成时,我们并不能准确预测到完成后的版图会对电路带来怎样的影响。在这个阶段,我们如何尽量避免这些效应...CSDN博客

2024年09月25日

2019年4月14日 [转载]集成电路中的WPE和LOD(STI)效应在这里把看到的关于 WPE 和 LOD 效应的内容小结一下 WPE, 也即 Well Proximity Effect, 其原理可以参见下图: 集成电路制造过程中, 在对阱作离...科学网

2024年09月25日

2023年12月27日褐星ee 2023-12-2705:06 关注模拟版图学习笔记分享 1、闩锁效应剖面图和结构图 2、闩锁效应、三极管工作状态、天线效应 3、WPE效应及解决方法 4、LOD效应 1阅读 0 0 发表评论 ...褐星ee

2024年09月25日

最佳答案: 该两种效应的解决方法如下：1、预先估计wpe效应和lod效应中MOS管的SA、SB和SC的值，再进行仿真调试，进而达到理想的设计值。2、预先放大或缩小wpe效应和lod效应中M...百度知道

2024年09月25日

2017年4月18日增加SA和SB就是增加缓冲距离减弱应力,S和D端不要直接面临STI并适当增加距离即可缓解LOD效应如果是增加Dummy的话,则要求共源或漏可以看到仿真曲线饱和电流I和SA/SB的关系图以及1:...CSDN博客

2024年09月25日