沟道穿通效应
“沟道穿通效应”的相关信息：
MOS管漏极耗尽区发生穿通效应后由漏区到源区的空间电荷限...
2021年12月2日 再次考虑用很高的电阻率p型衬底制作的、小漏-源间距的n沟道MOS场效应晶体管的情况,非常明显在器件以足够高的外加漏极电压工作,以致发生穿通效应时,就可以观测到从漏区流向源区的空...www.kiamos.cn/article/detail/2...
2024年04月01日
什么是沟道效应? 如何降低沟道效应?_百度教育
减少沟道效应的措施: ( 1) 对大的离子, 沿沟道轴向(110)偏离7-10o; ( 2) 用Si, Ge, F, Ar等离子注入使表面预非晶化, 形成非晶层( 3) 增加注入剂量; ( 4) 表面用SiO2层掩膜。百度教育
2024年04月01日
详解MOS管器件的穿通机理特性及其工艺结构
2022年3月4日 在VDS足够大,器件沟道比较短的情况下,S区势垒大大降低,发射流加大并为D区所收集,这时才有明显的穿通电流。这也是前述的较严重的DIBL现象。 图2.4为DIBL效应的示意图。横坐标为归一化...kiamos.cn/article/detail/25......
2024年04月01日
EDA探索丨第10期:窄沟道效应与反窄沟道效应 - 知乎
2023年8月2日 当MOSFET微缩时,更复杂的物理效应往往会凸显出来。对于沟道长度的减小,我们称为“短沟道效应“,包括DIBL,源漏穿通等等。同样的情况在沟道宽度上也有对应,一般称为NWE(Narrow Width E...知乎
2024年04月01日
【半导体先进工艺制程技术系列】漏致势垒降低效应-CSDN博客
2022年8月12日 发生穿通效应的原因是漏极电压的升高导致源极与衬底之间的自建势垒高度降低了,称为漏致势垒降低效应(Drain Induced Barrier Lowering,DIBL)。 对于长沟道器件,上图中虚线部分,当漏...CSDN博客
2024年04月01日
短沟道效应,短沟道效应的产生及特点-KIA MOS管
2023年10月9日 解释二:沟道长度减小到一定程度后出现的一系列二级物理效应统称为短沟道效应。如漏致势垒降低(DIBL),随着漏源电压的增大,漏衬反偏PN结空间电荷区展宽,则沟道的有效长度减小,此在短...广东可易亚半导体官网
2024年04月01日
什么是离子注入的沟道效应? - 知乎
2024年2月18日 沟道效应,英文名Channeling Effect,是离子注入工序中非常重要的一种效应,对于杂质的分布影响很大。 什么是沟道效应? 沟道效应是指在晶体材料中,注入的离子沿着晶体原子排列较为稀疏...知乎
2024年04月01日
