短沟道效应解决办法

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方法:离子束在注入硅片时必须偏离沟道方向约7°。通常,这种偏转是用倾斜硅片来实现。除了转动靶片,还可以用事先生长氧化层或用Si、F等离子预非晶化的方法来消除沟道效应。对...百度教育

2024年09月24日

2023年11月18日抑制短沟道效应的方法主要有:降低器件工作电压、提高沟道掺杂浓度,利用绝缘体上硅(silicon on insulator,SOI)衬底结构、轻掺杂漏(lightly doped drain,LDD)、...科学网

2024年09月24日

7天前 3.采用新型材料:通过使用具有高电阻率和高介电常数的材料来减少短沟道效应,这些材料可以提高沟道电阻、减小沟道电容,从而改善器件性能。四、总结晶体管短沟道效应是...百度爱采购

2024年09月24日

发生沟道效应时,其注入损伤很小,注入的射程很远,但注入射程不可控,难于获得可重复的浓度分布,使用价值小,因而实际工艺时应避免沟道效应。消除沟道效应的途径有:1)①注入方向...百度教育

2024年09月24日

视频2023年7月13日 - 2023年7月13日www.bilibili.com/video/BV1Cx...

2024年09月24日

2页发布时间: 2023年09月29日其中一种解决方法是引入栅楔形状,以增加沟道长度。另一种方法是使用垂直晶体管,通过垂直排列来减小沟道长度。设计工艺方面的解决方法合理的设计工艺可以降低短沟道效应对晶...百度文库

2024年09月24日