速度饱和效应-学术百科-知网空间
与"速度饱和效应"相关的文献前8条更多文献>> 1. 通过求解玻尔兹曼能量平衡方程,得出基区的电子温度分布,建立了考虑电子温度变化,适用于超薄基区SiGe HBT的基区渡越时间模型。...知网空间
2024年04月01日
速度饱和效应
“速度饱和效应”的相关信息：
数字集成:MOS管速度饱和的理解(V0.0)-CSDN博客
2013年6月16日 速度饱和效应主要是因为Vgs-Vth太大了，前提是管子工作在saturation区域(vds>vgs-vth)。 例如：将二极管...创芯网
2024年04月01日
8.1.6 速度饱和效应 - 豆丁网
2019年9月28日 速度饱和效应发生在这样一个场景下:首先MOS管工作在饱和saturation区(vds>vgs-vth),可是此时的Vgs-Vth太大了。 说明:将二极管接法的管子扫描Vgs,管子依次经历,截止区,弱反型区,强反...CSDN博客
2024年04月01日
对速度饱和效应的一些理解-CSDN博客
2022年8月13日 速度饱和效应一般发生在短沟道和大过驱动电压器件中,晶体管横向电场强度Eh=VDS/L,因此沟道器件沟道越短,相同VDS电压下横向电场强度将更大,更容易发生速度饱和。过驱动电压过大将导...CSDN博客
2024年04月01日
mos管的速度饱和效应 - 百度文库
1页 发布时间: 2023年10月17日mos管的速度饱和效应 mos管速度饱和效应:一般而言,载流子速度正比于电场,斜率是载流子的迁移率;可当延沟道电场达到临界值(某个根据散射效应计算的值)时,载流子的速度将会趋于...百度文库
2024年04月01日
帮你直观理解速度饱和效应 - Analog/RF IC 设计讨论 - EET...
视频2023年7月13日 - 2023年7月13日www.zhihu.com/zvideo/1662741...
2024年04月01日
MOS管常用效应 - icmaxwell - 博客园
2020年2月7日 纵向电场8.1.6速度饱和效应迁移率调制效应增大,使表面散射进一步增大,mGS的增大而下降,,于是,GS表面体内体内GS较小时,迁移率调制效应8.1.6速度饱和效应电场电场...豆丁网
2024年04月01日
