基区集边效应

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2015年5月1日 ( 摘要 , 介绍了晶体管基区电位微分方程解析解的研究结果 , 与方程近似解相比 , 它能定量地阐释发射极电流集边效应及相关参量 , 也为功率晶体管有关教学提供更...豆丁网

2025年02月14日

由基区电阻的自偏压引起的晶体管发射极电流集边效应,是限制晶体管承载电流能力的因素之一[1～4]。本文以发射极电流集边效应发生的程度,分为四个区域,详细探讨了归一化电位和...中国知网

2025年02月14日

发射极电流集边效应是因为NPN晶体管的基极电阻引起的,包括发射区正下方基区的横向扩散电阻和发射区正下方以外基区横向电阻,因为基极电流是在基区中横向流动的,在此基极电阻上...百度教育

2025年02月14日

1页发布时间: 2012年10月18日可见，该效应实际上是由基极电阻所引起的，所以这种效应也称为基极电阻自偏压效应。（3）造成的影响：发射极电流集边效应所造成的直接影响就是发射结面不能充分被利用，降低...百度文库

2025年02月14日

2023年8月7日发射极电流集边效应所造成的直接影响就是发射结面不能充分被利用,降低了发射极注射效率,使电流放大系数减小。进一步,还会引起其他一些大电流效应,因为发射结边缘的电流密度很...知乎

2025年02月14日

2023年9月23日分别介绍均匀掺杂分布的基区和梯度缓变的基区两种结构的双极型器件的静态工作原理,并对器件中所存在的若干重要的效应如基区展宽效应、基区宽度调制效应等对器件性能的影响进...知乎

2025年02月14日

发射极电流集边效应是由晶体管基极电阻的自偏压引起的,描述该效应的微分方程早已建立,这里设计了一种用SPICE验证精确解/近似解的新方法。结果表明:近似解是在V(x)〈〈... 石...百度学术

2025年02月14日