半导体物理与器件笔记(四)——量子力学初步 - 知乎
2023年9月19日 隧穿效应:量子力学中的隧穿效应在半导体设备如隧道二极管和超导量子干涉器等中有重要应用。 量子干涉:量子力学中的干涉和叠加原理在半导体中的多路径传播和量子位等概念中有重要应...知乎
2024年09月24日
半导体的穿隧效应
“半导体的穿隧效应”的相关信息：
半导体器件击穿机理分析及设计注意事项-电子发烧友网
2023年11月23日 由于隧穿效应的导电离子是来自于挣脱原子核束缚的电子(或者空穴),因此,随着温度的升高,PN结内部产生热电子浓度增加,进而导致击穿电压VB降低,使得宏观上击穿电压VB呈现负温度特性。...电子发烧友
2024年09月24日
半导体隧道效应 - 百度文库
1页 发布时间: 2023年06月13日半导体隧道效应是指当一个电子或一个空穴通过两个半导体区域之间的势垒时,由于量子力学效应的存在,它可以以概率方式通过势垒,而不需要克服传统的经典能垒。 在经典物理学中,...百度文库
2024年09月24日
第十一代索纳塔的半导体器件与量子力学的电子隧穿效应
2024年6月7日 小张了解到，隧穿效应在现代半导体器件中具有重要意义。例如，在隧道二极管中，隧穿效应允许电子在低电压下通过势垒，从而实现高速开关特性。同样，闪存设备中的电子隧穿效应允许电...爱与辉行
2024年09月24日
半导体隧穿效应原理 - 百度文库
3页 发布时间: 2023年09月11日通过引入隧穿效应,TFET能够在低电压下实现电子传输,从而降低了功耗并提高了能效。 总结 半导体隧穿效应是一种能够利用半导体材料特殊能带结构的现象。通过禁带直接隧穿,电子...百度文库
2024年09月24日
量子世界中的隧道效应,让电子学会了“穿墙术”
2024年2月14日 从20世纪30年代开始，就有人预言有隧道效应的存在，但在当时，这些现象只发生在半导体和普通的导体中。虽然早在 1911年就发现了超导现象，但是人们普遍认为，在超导体界面上，不可...中科院物理所
2024年09月24日
隧道二极管:隧穿效应揭秘,负阻特性引领新应用 - ROHM技术...
2024年4月26日 隧道二极管,或称江琦二极管、Esaki二极管,其工作原理主要基于量子力学中的隧穿效应。这是一种特殊的半导体二极管,通常由砷化镓(GaAs)和锑化镓(GaSb)等材料混合制成。隧道二极管的核...ROHM技术社区
2024年09月24日
隧穿电流效应与半导体表面与MIS结构-CSDN博客
2022年4月11日 一、隧穿电流(tunneling current) 隧穿电流(tunneling current)是指在微电子技术中,当半导体的势垒或者二氧化硅薄膜的厚度,薄至与载流子的德布罗意波(de Broglie波)的波长差不多时,...CSDN博客
2024年09月24日
