sti,wpe的概念
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“sti,wpe的概念”的相关信息：

图灵社区

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2015年4月10日 STI效应的计算 和WPE效应随着井区扩大而可以无限减小不同,由于STI存在于每个器件周围,没有“理想”的无STI效应器件。计算STI效应的时候首先要设定一个基准器件...图灵社区
2024年09月25日
物有必至 事有固然—芯片边界效应 - 知乎

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2018年12月4日 WPE的概念:在离子注入制造工艺时,原子从掩模板的边沿开始扩散,在阱边附近的地方硅片表面变得密集,如图2所示。结果就是,阱表面浓度会随着距离掩模板的边沿的远近而有所不同,因此整个...知乎
2024年09月25日
STI、LOD与WPE概念:STI效应对SPICE Model的影响-CSDN博客

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2019年6月17日 STI效应主要影响SPICE的Stress EffectModel,应力对MOS特性的影响主要体现在迁移率和饱和速度两个参数上,但是由于掺杂分布也会受到不同SIT尺寸和应力的影响,因此阈值电压和一些二级...CSDN博客
2024年09月25日
STI及WPE问题及版图注意事项 - 百度文库

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16页 发布时间: 2016年01月26日本文诠释了制造工艺的两个重要效应:STI、WPE。通过对两种效应的分析,提出了在芯片设计阶段考虑它们的必要性。特别是针对IP模块级别的设计,本文给出了在电路设计阶段和版图设...百度文库
2024年09月25日
STI及WPE问题及版图注意重点事项 - 豆丁网

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2020年9月20日 wpesti版图槽隔离极器件扩散区 STI及WPE问题及版图注意分locos隔离和STI隔离Locos隔离是厚氧隔离,STI是浅沟道隔离STI概念STI是ShallowTrenchIsolation缩写,STI...豆丁网
2024年09月25日
介绍一下Layout相关效应-电子发烧友网

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2023年10月31日 LOD(Length of Diffusion)Effect,也称为STI Stress Effect,顾名思义就是有源区外的STI隔离会对其带来应力作用,从而影响晶体管阈值电压,通常用Poly到有源区边界的距离(SA/SB,如Fig9...电子发烧友
2024年09月25日
WPESTIstress效应 - 百度文库

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2页 发布时间: 2022年12月11日1, 阱邻近效应WPE (Well Edge-Proximity Effect) 2, STI 压应力效应STI (Shallow Trench Isolation) under Compressive Stress 目前仿真模型中已经加入这两种效应的因素。 一...百度文库
2024年09月25日

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