功率器件-MOSFET的雪崩耐量机理与扩展_财富号_东方财富网
2024年5月30日 一、雪崩击穿的原理与介绍 当功率器件PN结的反向电压增大到某一数值后,半导体内载流子通过碰撞电离开始倍增,这一现象与宏观世界中高山雪崩是很像的,所以我们称之为雪崩击穿。 功率...东方财富网
2024年09月24日
mos管雪崩击穿原理
“mos管雪崩击穿原理”的相关信息：
mos管雪崩击穿原理 - 百度文库
1页 发布时间: 2023年07月29日mos管雪崩击穿原理是指当MOS管的栅-源结或栅-漏结处的电场强度达到一定值时,会发生电子与正空穴的雪崩击穿现象,导致结内的载流子数量急剧增加,电流急剧增大,从而对MOS管造成...百度文库
2024年09月24日
什么是MOS管的雪崩-电子发烧友网
2024年8月15日 这种倍增效应类似于雪崩过程中的连锁反应,因此得名“雪崩击穿”。 二、MOS管雪崩的原理 MOS管雪崩的原理主要基于半导体材料中的载流子倍增效应。在高压、高电...电子发烧友
2024年09月24日
轻松了解功率MOSFET的雪崩效应
2024年2月23日 Vav在雪崩期间通常不是恒定的（因为Iav和Tj会发生变化）；Vav通常是在雪崩期间测得的平均Vds幅度tav=雪崩时间，通常定义为Iav从Ipk降至零所需的时间；即电感中存储的能量减少到零的...中芯巨能
2024年09月24日
雪崩击穿(MOS管篇)
2023年9月19日 雪崩击穿 是指在高压、高电场强度下，半导体材料中的载流子倍增现象。当半导体内部的电场强度达到一定程度时，原本稳定的载流子将会被加速，与晶格发生碰撞，产生更多的载流子。这...VBsemi微碧半导体
2024年09月24日
全方位理解功率MOSFET的雪崩失效现象-电子发烧友网
2023年12月4日 寄生晶体管导通使MOSFET由高压小电流迅速过渡到低压大电流状态,从而发生雪崩击穿。 4 雪崩击穿时能量与温度的变化 在开关管雪崩击穿过程中,能量集中在功率器件各耗散层和沟道中,在...电子发烧友
2024年09月24日
